臭氧发生器在ALD应用中流程介绍

臭氧源+ Sci-L控制器

使用内置的O3监测器对O3浓度进行闭环反馈控制。

O2气体流量高达1000 sccm, O3浓度高达22 wt%。

当发电机打开时，O3总是流动=>需要一条分流线和一条处理线(内置源)

由于发电机以30 psig的速度运行(由BPR维护)，并且ALD单元处于低压状态，因此必须对分流管线进行泵送。

•工艺线连接到ALD装置的反应气舱=>可以使用已经到位的标准ALD阀门(需要对FlexAL控制软件进行小修改)

我们使用一个小脚本直接从ALD控制PC的桌面控制臭氧源(气体流量，O3浓度，开/关)。

用途:导电锡膜生长

沉积条件

衬底温度= 300C;

·TDMAT周期:1sec @ 15mT, Ar draw @ 50sccm;Ar吹扫4s @ 15mT;60C电源

H2/N2等离子给药:流量、压力、ICP功率、时间均可更改

退火条件(电阻率稳定性试验)

在400C的成型气体中60分钟

应用范围:III-V型半导体上的MIS器件

FlexAL ALD的原位As脱帽

●在InGaAs上生长无定形as帽，在MBE末端生长=>表面不受环境影响(理想表面=>很小Dit?)

以AsH3的形式暴露于两功率H*等离子体(2W)中除去As帽。循环(2wh *等离子体持续5s)/(SE测量持续4s)直到到达界面。

•在清洁的InGaAs界面上立即生成氧化物(界面永远不会暴露在空气中!)

●初步结果令人鼓舞